【文/观察者网 尹哲】高通收购恩智浦半导体（NXP）仍未获中方落锤，中国反垄断机构此时又对三大存储巨头挥出重拳。
据“集微网”1日报道，5月31日，中国反垄断机构派出多个工作小组，分别对韩国三星、SK海力士（SK Hynix）、美国美光（Micron）三家公司位于北京、上海、深圳的办公室展开“突袭调查”和现场取证。
DRAM“超级周期”，发改委：可能有多家公司协同
观察者网注意到，早在去年12月底，便有媒体报道中国反垄断机构约谈存储第一大巨头——三星。
彼时，DRAM正经历破纪录的七季连涨，无论是给下游企业还是消费者都带来巨大的压力。对于上述情况，时任发改委价监局处长徐新宇当时表示：“我们已经注意到价格飙升状况，将更加关注该行业未来可能因‘价格操纵’引起的问题。”他还透露，可能有多家公司协同行动，尽量推高芯片价格，谋求获利最大化。供应紧张和需求激增引发的记忆体芯片行业“超级周期”，推高了三星和SK海力士等芯片制造商的产品价格和获利。另外，在今年5月中旬，美光也传出被约谈。
对于“突袭调查”三大存储企业，前述报道评论称，此举标志着中国反垄断机构正式对三家企业展开立案调查。文章作者老杳（原名：王艳辉）1日对此表示，相比欧盟不断向谷歌、苹果、高通等以垄断理由开出罚单，中国反垄断机构由于人力有限，对市场监督的力度不是太大而是太小。他说：“作为全球最大的电子产品制造基地及第二大市场，需要更强有力的市场监督机构保证公平、公正的市场竞争秩序。”2017年，受智能终端尤其是智能手机需求刺激，DRAM以及NAND Flash涨幅均超过4成。这给占全球智能手机市场三成以上的中国智能手机市场造成很大影响，所需存储器始终无法得到充足供应。今年2月，韩国媒体报道称，中国发改委再次约谈三星，要求三星控制内存产品价格，并优先向中国企业供应内存。报道称，此为自去年年底中国智能手机企业联合举报对半导体存储器价格连续上涨表示不满后，中国政府正式介入市场干预。不过，在全球智能手机等智能终端需求增速放缓情况下，集邦咨询统计显示，第一季行动式内存平均合约价格季度涨幅将从此前的5%缩减为3%。业内人士分析称，政府的介入有望进一步控制存储器价格上涨趋势。此前，三星、海力士、美光等在美国被指控合谋操纵DRAM存储器价格。
Forbes报道截图
当地时间4月27日，Forbes报道称，Hagens Berman事务所律师在美国加州北部地区法院向上述三家企业提起诉讼，指控他们操纵DRAM存储器价格。这桩集体诉讼由该律所代表美国消费者发起，具体包括2016至2017年购买了智能手机和个人电脑产品的消费者。2017年，DRAM的价格上涨了130%。该律师事务所声称，他们调查发现这些主要DRAM制造商合谋，限制市场上各种DRAM产品的供应，从而推高了DRAM价格。该诉讼指控称，DRAM供应商作出“统一供应决定”来限制DRAM的供应，从而使2016年和2017年产品的价格暴涨，最终导致关键内存产品的价格在此期间大幅上升。Hagens Berman管理合伙人史蒂夫路伯曼（Steve Berman）表示，三星、海力士以及美光并未按规则行事，为了获得更大利润损害了消费者的利益，扰乱了市场。值得一提的是，据集邦咨询提供的数据，2018年第一季度，上述三家巨头在DRAM产业的市占率分别为44.9%、27.9%、22.6%，合计共95.4%。今年第一季度，三星和SK海力士业绩喜人。其中，SK海力士2018年首季公司销售额为8.7197万亿韩元（约合人民币511亿元），营业利润为4.3673万亿韩元（约合人民币255.94亿元），同比分别增长38.6%和77.0%。而三星今年一季度芯片业务运营利润达到创纪录的11.6万亿韩元（约合人民币680亿元），占总利润的近75%。业内分析称，三星和SK海力士业绩向好主要得力于主营存储芯片市场需求强劲。
